Программа
| Тема доклада | Время | Докладчик |
|---|---|---|
| Открытие сессии | 12.00 | В.П. Федин |
| Основные вехи истории отдела | 12.05 | Ф.А. Кузнецов |
| Сцинтилляционные материалы: инженерия, устройства, применение, производство кристаллов | 12.35 | Я.В. Васильев |
| Развитие методов выращивания кристаллов: от классических полупроводников до уникальных молибдатов и вольфраматов | 12.55 | А.А. Павлюк |
| Перспективы процессов CVD в технологии материалов | 13.15 | М.Л. Косинова |
| Термодинамическое направление в отделе материаловедения | 13.35 | В.И. Косяков |
| Синтез, характеризация и свойства высокотемпературных соединений РЗМ | 13.55 | В.В. Баковец |
| Структура и свойства углеродных наноматериалов | 14.15 | А.В. Окотруб |
| Углерод-фторуглеродные нанокомпозиты – новые материалы хранения и преобразования энергии | 14.35 | В.Н. Митькин |
| 14.45–15.15 Кофе-перерыв | ||
| Новые соединения – перспективные исходные вещества новых материалов | 15.15 | В.П. Федин |
| Теоретические исследования функциональных материалов | 15.35 | О.С. Субботин |
| Создание системы аналитичеcкого контроля химического состава высокочистых веществ и материалов в ИНХ СО РАН | 15.55 | А.И. Сапрыкин |
| Развитие физических методов диагностики и характеризации материалов полупроводниковой электроники | 16.15 | М.Ф. Резниченко |
| Взаимосвязь электронных транспортных свойств с функциональностью материалов | 16.30 | А.И. Романенко |
| Презентация «Памяти ушедших» | 16.40 | М.М. Федотова |




