- Информация о материале
Опубликован очередной ежегодный список наиболее цитируемых ученых мира, составленный на основе базы данных Scopus, в которой индексируется более 20 000 научных журналов и содержатся сведения о более чем 8 миллионах исследователей.
В число наиболее цитируемых исследователей вошли 10 сотрудников ИНХ СО РАН: д.х.н., чл.-к. РАН Федин В.П., д.х.н. Колесов Б.А., д.х.н., профессор РАН Адонин С.А., д.х.н. Булушева Л.Г., д.х.н., профессор РАН Соколов М.Н., д.х.н., профессор РАН Дыбцев Д.Н., д.х.н. Артемьев А.В., д.ф.-м.н. Окотруб А.В., к.ф.-м.н. Березин А.С. и д.х.н. Федоров В.Е.
Посмотреть список: Данные в файле Table_1_Authors_singleyr_2023_pubs_since_1788_wopp_extracted_202408.xlsx (78.9 MB)
Elsevier Data Repository,
Published: 16 September 2024
- Информация о материале
Сотрудники лаборатории металлорганических соединений для осаждения диэлектрических материалов Института неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН разрабатывают технологии получения высокочистых соединений титана, циркония и гафния для создания элементов микроэлектроники.
Опубликовано 28.08.2024: Наука в Сибири, ИА "Красная весна".
В рамках обсуждений, прошедших на XI Международном форуме технологического развития «Технопром-2024» в Новосибирске, заведующая лабораторией металлорганических соединений для осаждения диэлектрических материалов ИНХ СО РАН кандидат химических наук Евгения Викулова рассказала о работе молодого коллектива, созданного для решения проблемы отсутствия в РФ технологии производства высокочистых соединений, востребованных современной микроэлектроникой.
«Соединения редкоземельных металлов используют при создании наноструктур элементов микроэлектроники. Для изготовления микросхем чипов и процессоров уже сейчас востребованными являются тонкие пленки нитрида титана. Если же мы будем переводить технологии на следующий уровень, что необходимо, в том числе для достижения технологического суверенитета, здесь потребуется уже оксид гафния, и замен этому решению нет. Другое направление — альтернативные энергонезависимые источники памяти, альтернативы нашим флешкам. По сравнению с флеш-технологией они обладают большим ресурсом записи и меньшим энергопотреблением. Эти источники сейчас только развиваются и формируются по миру, и если мы хотим включаться в это направление, то нам потребуются тонкие пленки на основе оксидов гафния, титана и циркония», — рассказывает Евгения Сергеевна Викулова.
Поскольку тонкие пленки имеют очень сложную геометрию на микроуровне, их получают методами химического газофазного (MOCVD) и атомно-слоевого (ALD) осаждения. Металлорганическое соединение в виде газа доставляется к покрываемому объекту и вступает в реакцию, формируя целевое покрытие. Необходимые характеристики материала достигаются при правильном подборе исходного ведущего компонента и условий осаждения. Для этого очень важно использовать соединения высокой чистоты. Однако оказалось, что соединения требуемого качества импортные и уже подсанкционные, а продукция отечественных предприятий недостаточна по ассортименту и не обладает необходимой чистотой.
Для решения этой проблемы почти два года назад в рамках конкурса Министерства науки и высшего образования РФ и конкурса национального проекта «Наука и университеты» в ИНХ СО РАН была создана специализированная молодежная лаборатория металлорганических соединений для осаждения диэлектрических материалов.
«Мы комплексно подошли к проблеме, а именно: уже умеем поставлять конкретные летучие вещества под задачи заказчика, исследуем их термические свойства с тем, чтобы создать базу для реализации технологических условий. Также мы разрабатываем походы к контролю качества продукции, если точнее — к контролю чистоты примесей (потому что сейчас каких-либо гостов для металлорганических соединений в России нет) и стратегии достижения этой чистоты», — отмечает Евгения Викулова.
Ученым удалось получить лабораторные образцы соединений целевой квалификации по содержанию примесей и разработать технологии очистки. На данном этапе они развивают применения полученных соединений и готовятся к масштабированию производства.
«Источники металлов необходимого качества уже представлены на внутреннем российском рынке, однако существует проблема доступности специфических реагентов для синтеза, в частности,некоторых органических соединений. Сейчас мы рассматриваем решение с использованием инжиниринговой базы Томского государственного университета, но проблема есть, и решать ее надо. Второе затруднение в том, что установки для осаждения сейчас импортные», — комментирует Евгения Викулова.
«Наука в Сибири»
Фото Юлии Поздняковой
- Информация о материале
Объявляется набор в аспирантуру Института по научным специальностям: неорганическая химия (1.4.1.), аналитическая химия (1.4.2.), физическая химия (1.4.4.).
Приём документов – с 1 по 16 августа 2024 года, с 9.00 до 15.00, комн. 331 (2 корп.), вн.т. 53-88.
Вступительные экзамены – с 19 по 23 августа 2024 года: специальная дисциплина («общая химия» или «общая физика») и иностранный язык.
Учебный год в аспирантуре начинается 2 сентября 2024 года.
С правилами приёма и содержанием вступительных экзаменов можно ознакомиться на сайте Института.
По всем вопросам обращаться к Андриенко Ирине Валентиновне (Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript., тел. 8(383) 330-92 56)
- Информация о материале
В рамках Всероссийской экскурсионной акции «День без турникетов», организованной Российским научным фондом и приуроченной к его 10-летию, в ИНХ СО РАН 23 мая 2024 года состоялась экскурсия по лабораториям Института.
В своем приветственном слове зам. директора ИНХ СО РАН д.х.н. Коренев С.В. рассказал об Институте, о проводимых в нем исследованиях и разработках, о выполняемых грантах РНФ (сейчас их в Институте более 50).
Представители Совета научной молодежи ИНХ СО РАН проводили гостей по научным лабораториям, где руководители грантов РНФ (д.х.н. Гущин А.Л., грант 23-23-00441; к.х.н. Доровских С.И., грант 21-73-10142; д.х.н. Дыбцев Д.Н., грант 23-13-00310; к.х.н. Косинова М.Л., грант 23-79-00026; к.ф.-м.н. Федосеева Ю.В., грант 19-73-10068) рассказали о своих исследованиях и результатах.
Во время экскурсии было показано, как создаются и изучаются комплексные соединения платиновых металлов и золота, которые лежат в основе металл-органических светодиодов и являются активными компонентами лекарственных препаратов; можно было даже принять участие в небольшом эксперименте с люминесцирующими соединениями.
Гостям рассказали об интересных гибридных материалах на основе пленок фталоцианинов металлов и наночастиц благородных металлов – активных слоях газовых сенсоров на оксиды азота для ранней диагностики заболеваний дыхательных путей.
Была продемонстрирована работа современных приборов для рентгеноструктурного анализа и текстурного анализа соединений, в частности, пористых металл-органических координационных полимеров – перспективных материалов для адсорбции, хранения и разделения различных смесей.
Гостям были представлены современные диэлектрические, прозрачные, твердые материалы в виде тонких пленок и покрытий, которые могут использоваться в интегральных схемах, на медицинских имплантатах, в солнечных батареях и т.д. Во время экскурсии можно было посмотреть, как создаются такие материалы и рассмотреть их с помощью электронного микроскопа при увеличении в 200000 раз.
Участников экскурсии познакомили с исследуемыми в Институте наноматериалами и нанокомпозитами, с возможностями их применения в электрохимических приложениях, электромеханических устройствах, химических сенсорах, в качестве автоэмиссионных катодов, в оптических элементах оптического, СВЧ и терагерцового диапазонов.
Проведенная экскурсия вызвала большой интерес у гостей, очень надеемся, что всем понравилось.
В Новосибирске прошла акция «День без турникетов» Наука в Сибири, 24.05.2024
Более 25 экскурсий по лабораториям грантополучателей РНФ прошли в рамках акции «День без турникетов» сайт РНФ, 28.05.2024
© ИНХ СО РАН 1998 – 2025 г.