- Информация о материале
В журнале Chemistry - a European Journal (ИФ 5.16) опубликована статья с участием сотрудников Института: Иванова А.А., Абрамова П.А., Шестопалова М.А., Соколова М.Н., Наумова Н.Г. Брылёва К.А., Миронова Ю.В.; иллюстрация к статье вынесена на обложку журнала.
«Host‐guest binding hierarchy within redox‐ and luminescence responsive supramolecular self‐assembly based on chalcogenide clusters and γ‐cyclodextrin», A.A. Ivanov, C.Falaise, P.A. Abramov, M.A. Shestopalov, K. Kirakci, K. Lang, M.A. Moussawi, M.N. Sokolov, N.G. Naumov, S. Floquet, D. Landy, M. Haouas, K.A. Brylev, Y.V. Mironov, Y. Molard, S. Cordier, E. Cadot // Chem. Eur. J. 2018, V. 24, № 51, pp 13467-13478. DOI: 10.1002/chem.201802102. Посмотреть статью
- Информация о материале
Научный сотрудник Института Меренков Иван принял участие в съемках второго сезона научно-популярного телевизионного шоу «Научный Стендап» на телеканале "Культура". Съемки проходили с 10 по 14 сентября в Москве. В своем выступлении Иван рассказал о результатах исследования вертикально ориентированных наноструктур гексагонального нитрида бора и их антибактериальных свойствах. Эфир программы состоится 29 сентября.
Программа «Научный Стендап» — совместный телепроект о науке телеканала «Россия-К» и ассоциации Science Slam Россия при поддержке фонда инфраструктурных и образовательных программ. Каждый участник — молодой ученый, который должен за 7 минут рассказать о своем исследовании понятно и весело. Всего в съемках второго сезона приняли участие более 20 человек из разных городов России.
Анонс программы
- Информация о материале
В журнале Nano Research (ИФ 7.994) опубликована статья с участием сотрудников Института И.С. Меренкова, Р.В. Пушкарева и М.Л. Косиновой.
«Orientation-controlled, low-temperature plasma growth and applications of h-BN nanosheets», I.S. Merenkov, M.S. Myshenkov, Y.M. Zhukov, Y. Sato, T.S. Frolova, D.V. Danilov, I.A. Kasatkin, O.S. Medvedev, R.V. Pushkarev, O.I. Sinitsyna, M. Terauchi, I.A. Zvereva, M.L. Kosinova, K. Ostrikov // Nano Research. 2018. DOI: 10.1007/s12274-018-2185-7 Посмотреть статью
- Информация о материале
В журнале Advanced Electronic Materials (ИФ 5.466) опубликована статья с участием сотрудников Института Сысоева В.И., Пинакова Д.В., Чеховой Г.Н., Булушевой Л.Г. и Окотруба А.В.
«Electrical Transport in Devices Based on Edge‐Fluorinated Graphene», Kolesnik-Gray, M.; Sysoev, V. I.; Gollwitzer, S.; Pinakov, D.V.; Chekhova, G.N.; Bulusheva, L.G.; Okotrub, A.V.; Krstić, V. // Adv. Electron. Mater. 2018, 1800073. DOI:10.1002/aelm.201800073 Посмотреть статью
(a) Схематическое изображение устройства, (b) СЭМ-изображение поверхности пленки фторированного графена (ФГ), (c) оптическое изображение монослоев фторированного графена на кремниевой подложке, (d) микрофотография устройства на основе ФГ.
© ИНХ СО РАН 1998 – 2025 г.